Datasheet下载- 型号： FJN4313RBU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJN4313RBU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJN4313RBU价格参考。Fairchild SemiconductorFJN4313RBU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJN4313RBU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJN4313RBU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJN4313RBU 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻网络，简化外围电路设计。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑接口与电平转换：常用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC驱动LED、继电器或小功率MOSFET的开关控制，利用其内置偏置电阻实现直接CMOS/TTL电平驱动，无需外接偏置电阻； 2. 负载开关与信号切换：适用于低功耗、中速（fₜ ≈ 250 MHz）开关应用，如电源使能控制、传感器信号通断、状态指示灯驱动等； 3. 工业与消费类电子：广泛应用于打印机、家电控制板、智能电表、IoT终端等对PCB面积和BOM成本敏感的设备中，提升可靠性并降低装配复杂度； 4. 替代传统分立偏置方案：在空间受限或需提高生产良率的场景下，可替代“BJT + 2颗电阻”的分立方案，减少贴片器件数量，缩短产线调试时间。 该器件采用SOT-23封装，具备±50V VCEO、100mA IC连续额定值及高直流电流增益（hFE = 160–450），适合低压（≤5 V）、中小电流（<100 mA）开关应用，不适用于线性放大或大功率场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJN4313RBU |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 68 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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