Datasheet下载- 型号： FJN4309RBU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJN4309RBU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJN4309RBU价格参考。Fairchild SemiconductorFJN4309RBU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJN4309RBU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJN4309RBU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJN4309RBU 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻网络，简化外围电路设计。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑接口与电平转换：常用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC驱动LED、继电器或小功率MOSFET的开关控制，实现TTL/CMOS电平到负载的可靠驱动。 2. 低功耗开关应用：适用于便携式设备（如IoT传感器节点、遥控器、可穿戴设备）中的信号切换、状态指示（LED驱动）或电源使能控制，因其低饱和电压（VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC=10mA）和低待机电流，有助于延长电池寿命。 3. 汽车电子辅助电路：符合AEC-Q101标准（注：需确认具体批次是否通过认证；FJN4309RBU为工业级，部分版本可用于车载非安全关键系统），可用于车身控制模块（BCM）中的灯光控制、风扇启停、诊断信号调理等。 4. 工业控制与家电：在PLC输入缓冲、电机驱动前级、智能电表状态指示等场景中，提供高可靠性、抗干扰的开关功能，且无需外置偏置电阻，节省PCB空间并提升一致性。 该器件采用SOT-23封装，体积小、热性能良好，工作结温范围宽（–55°C 至 +150°C），适合紧凑型、中低电流（IC max = 100mA）开关场合。注意：不适用于线性放大或高频射频应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJN4309RBU |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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