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  • 型号: FDU6680A
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDU6680A由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDU6680A价格参考。Fairchild SemiconductorFDU6680A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDU6680A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDU6680A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDU6680A 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用紧凑的SO-8封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值仅12.5 mΩ @ Vgs=10V)、高开关速度和优良的热性能。其额定电压为30V,连续漏极电流达9.5A(Tc=25°C),适用于中低压、中功率DC-DC转换与负载开关场景。

典型应用场景包括:  
✅ DC-DC电源转换:广泛用于同步降压(Buck)转换器的下管(low-side switch),尤其在便携式设备(如笔记本电脑、平板、USB PD适配器)的次级侧电源管理中,提升效率并减小发热;  
✅ 负载开关(Load Switch):用于主板、电源模块或电池供电系统中,实现对子电路(如显示屏背光、传感器、无线模块)的智能上电/断电控制,支持快速响应与低静态电流;  
✅ 电机驱动:适用于小型直流有刷电机(如风扇、打印机步进电机驱动中的H桥低边)及LED恒流驱动电路;  
✅ 电池保护与充电管理:在锂电池保护板或充电IC外围用作充放电路径控制开关,配合保护IC实现过流/短路保护。

该器件具备100%通过UIS(雪崩能量测试)认证,具备较强鲁棒性,且SO-8封装兼容标准PCB布局与回流焊工艺,利于成本与可靠性兼顾。需注意:实际应用中应合理设计栅极驱动(避免振荡)、添加适当栅极电阻,并确保散热路径(如敷铜面积)满足温升要求。
产品参数 图文手册 常见问题
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