Datasheet下载- 型号： FDU6680
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDU6680由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDU6680价格参考。Fairchild SemiconductorFDU6680封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDU6680参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDU6680 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDU6680 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用紧凑的TSOP-6封装，具有低导通电阻（RDS(on)典型值为25 mΩ @ VGS = 4.5 V）、高开关速度和优良的热性能。其额定电压为30 V，连续漏极电流达6.5 A（TA = 25°C），适合中低压、中等功率的高效开关应用。 典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其适用于便携式设备（如智能手机、平板电脑、TWS耳机充电仓）中的PMIC或负载点（PoL）电源； ✅ 电池管理系统（BMS）：用于电池保护电路中的充/放电路径控制与过流保护开关； ✅ LED驱动与背光控制：在中小尺寸LCD/OLED显示屏背光驱动中作为PWM调光开关； ✅ 电机驱动：适用于小型直流有刷电机（如风扇、振动马达、玩具车）的H桥或单路驱动； ✅ 负载开关（Load Switch）：替代机械开关或传统双极晶体管，实现低功耗、快速启停及反向电流阻断功能（因内置体二极管方向适配）。 其TSOP-6封装支持高密度贴装与良好散热，配合低栅极电荷（Qg ≈ 7.5 nC），有助于降低驱动损耗和EMI。需注意设计时合理布局PCB散热焊盘，并确保栅极驱动电压稳定（推荐4.5–12 V），避免低于阈值电压导致线性区发热。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 12A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDU6680 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1230pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 毫欧 @ 12A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 1,800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta）， 46A （Tc） |
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