Datasheet下载- 型号： FDR838P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDR838P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDR838P价格参考。Fairchild SemiconductorFDR838P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDR838P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDR838P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDR838P 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款 P 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 SOT-23 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 42 mΩ @ VGS = −4.5 V）、小体积、快速开关特性及±20 V栅源耐压，额定漏源电压为−30 V，连续漏极电流达−4.5 A（TC=25°C）。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理中的负载开关：常用于便携式设备（如智能手机、TWS耳机、POS终端）的电池供电路径控制，实现低功耗启停与反向电流阻断； 2. 高边/低边开关电路：适配3.3 V或5 V MCU直接驱动（逻辑电平兼容），广泛用于LED背光控制、传感器供电开关、USB端口电源管理等； 3. DC-DC转换器辅助开关：在同步降压或反激式拓扑中作同步整流或辅助侧开关，提升轻载效率； 4. 电机驱动与继电器替代：用于小型直流电机（如风扇、微型泵）的H桥低端驱动或单向控制，兼具成本与可靠性优势； 5. ESD敏感系统保护：配合TVS器件，实现输入端过压/反接保护（如USB接口防反插设计）。 得益于SOT-23封装的小尺寸和热性能优化，FDR838P特别适用于空间受限、需高集成度的消费电子与工业控制板卡。使用时需注意PCB散热设计（如敷铜面积）及栅极驱动稳定性（建议加10–100 Ω限流电阻）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDR838P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3300pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17 毫欧 @ 8A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SSOT |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SSOT，SuperSOT-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Ta） |
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