Datasheet下载- 型号： FDMB668P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMB668P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMB668P价格参考。Fairchild SemiconductorFDMB668P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDMB668P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMB668P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMB668P 是安森美（ON Semiconductor）推出的双封装P沟道增强型MOSFET（实际为单个芯片，但采用双裸晶共源共栅结构的6引脚DFN-6封装），典型参数：VDS = –20 V，ID = –5.5 A（连续），RDS(on) ≈ 42 mΩ（VGS = –4.5 V），具备低导通电阻、快速开关特性及100% ESD防护（HBM ≥ 2 kV）。 其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、平板电脑中的负载开关（Load Switch），用于控制USB接口、背光LED、SIM卡或传感器模块的供电通断，实现低功耗待机与快速响应； 2. 电池保护电路：在单节锂离子/聚合物电池系统中，作为反向电流阻断（Reverse Current Blocking）器件，防止关机时电池通过外设放电； 3. DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）转换器的下管位置（需搭配N-MOSFET驱动），提升转换效率（尤其在低压大电流场景）； 4. 热插拔与电源排序电路：配合控制IC实现受控上电/断电，避免浪涌电流和电压毛刺； 5. 工业与IoT终端的小功率负载驱动：如LED驱动、继电器/蜂鸣器驱动、MCU外围电源域隔离等，利用其小尺寸（2×2 mm DFN）、无铅、符合RoHS等特点，适用于高密度PCB布局。 该器件不适用于高压（>30 V）或大功率（>10 W）场景，设计时需注意栅极驱动兼容性（逻辑电平驱动，–1.8 V至–4.5 V即可充分导通）及PCB散热设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDMB668P |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2085pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 59nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 6.1A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-MLP，MicroFET（3x1.9） |
| 其它名称 | FDMB668PDKR |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-MLP，MicroFET™ |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.1A （Ta） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
FDMB668P 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商