【未分类_FDD107AN06LA0】封装/厂家_FDD107AN06LA0中文资料_价格

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型号： FDD107AN06LA0
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDD107AN06LA0由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD107AN06LA0价格参考。Fairchild SemiconductorFDD107AN06LA0封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FDD107AN06LA0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD107AN06LA0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDD107AN06LA0 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有60V耐压、75A连续漏极电流（Tc=25°C）、低导通电阻（Rds(on)典型值仅6.8mΩ @ Vgs=10V），并具备快速开关特性与良好的热稳定性。

其典型应用场景包括：  
✅ DC-DC电源转换：广泛用于服务器/通信设备中的同步降压（Buck）转换器次级侧（低边开关）或高效率POL（Point-of-Load）模块；  
✅ 电机驱动：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动中作为开关单元，尤其适合12V–48V供电系统；  
✅ 电池管理系统（BMS）：用于锂电池组的充放电保护电路、负载开关及均衡控制中的主控开关；  
✅ LED照明驱动：在高亮度LED恒流驱动电源中作PWM调光开关或初级侧高频开关；  
✅ 工业电源与适配器：如AC-DC副边同步整流、UPS后备电源、电动工具电源等对效率和温升敏感的场合。

该器件支持逻辑电平驱动（Vgs(th) 1.0–2.5V），可直接由MCU或驱动IC控制，配合其低Qg（典型19nC）与优异SOA（安全工作区），兼顾高效性与可靠性。需注意PCB布局散热设计，确保焊盘铜箔充足以降低热阻。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 60V 10.9A D-PAK
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FDD107AN06LA0
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	360pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	5.5nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	91 毫欧 @ 10.9A，10V
供应商器件封装	D-Pak
功率-最大值	25W
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
标准包装	2,500
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	3.4A （Ta）， 10.9A （Tc）