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  • 型号: DAP222MT2L
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DAP222MT2L由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DAP222MT2L价格参考¥0.33-¥0.33。ROHM SemiconductorDAP222MT2L封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DAP222MT2L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DAP222MT2L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Rohm Semiconductor的DAP222MT2L是一款二极管整流器阵列,广泛应用于需要高效、低损耗整流功能的电子电路中。以下是该型号的一些典型应用场景:

 1. 电源管理
   - 反向电压保护:DAP222MT2L可用于保护电路免受反向电压的影响,确保设备在异常电压条件下安全运行。
   - 续流二极管:在开关电源或DC-DC转换器中,该器件可用作续流二极管,以处理电感负载产生的反电动势。

 2. 电机驱动
   - 在无刷直流电机(BLDC)或步进电机的驱动电路中,DAP222MT2L可以用于吸收电机绕组关断时产生的感应电流,防止对驱动电路造成损坏。

 3. 信号隔离与保护
   - 输入/输出保护:该器件可用于保护接口电路,防止过压或浪涌电流对敏感元件的损害。
   - ESD保护:在某些应用中,DAP222MT2L可作为静电放电(ESD)保护的一部分,提高系统的可靠性。

 4. 通信设备
   - 在通信模块或物联网(IoT)设备中,DAP222MT2L可用于整流和保护功能,例如电池充电保护或信号路径中的整流。

 5. 消费电子
   - 便携式设备:如移动电源、智能手表等,该器件可用于电池充电保护和反向电流阻断。
   - 音频设备:在音频放大器或其他消费类电子产品中,DAP222MT2L可提供高效的整流功能。

 6. 汽车电子
   - 车载系统:在汽车电子控制单元(ECU)中,DAP222MT2L可用于电源稳压、反向电压保护以及负载突降保护。
   - LED驱动:在车灯控制系统中,该器件可用于整流和保护LED驱动电路。

 特性优势
DAP222MT2L具有低正向电压降(VF)、高浪涌电流能力和紧凑的封装设计,非常适合空间受限的应用场景。其出色的热性能和可靠性使其成为高性能电子系统中的理想选择。

总结来说,DAP222MT2L适用于需要高效整流和保护功能的各种电子设备,尤其是在电源管理、电机驱动和通信领域中表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE ARRAY 80V 100MA VMD3二极管 - 通用,功率,开关 SWITCH 100MA 80V

产品分类

二极管,整流器 - 阵列分离式半导体

品牌

Rohm Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,二极管 - 通用,功率,开关,ROHM Semiconductor DAP222MT2L-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

DAP222MT2L

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 100mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

100nA @ 70V

二极管类型

标准

二极管配置

1 对共阳极

产品

Switching Diodes

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24952

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

二极管 - 通用,功率,开关

供应商器件封装

VMD3

其它名称

DAP222MT2LTR

包装

带卷 (TR)

反向恢复时间(trr)

4ns

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-723

封装/箱体

VMD-3

峰值反向电压

80 V

工作温度范围

+ 150 C

工厂包装数量

8000

恢复时间

4 ns

最大二极管电容

3.5 pF

最大功率耗散

150 mW

最大反向漏泄电流

0.1 uA

最大浪涌电流

4 A

标准包装

8,000

正向电压下降

1.2 V

正向连续电流

300 mA

热阻

-

电压-DC反向(Vr)(最大值)

80V

电流-平均整流(Io)(每二极管)

100mA

速度

小信号 =< 200mA(Io),任意速度

配置

Dual Common Anode

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