Datasheet下载- 型号： CY7C1518KV18-333BZI
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1518KV18-333BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1518KV18-333BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1518KV18-333BZI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1518KV18-333BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1518KV18-333BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1518KV18-333BZI 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于1.8V供电的18位×64K（1.152Mb）QDR-II+ SRAM。其典型应用场景包括： - 高速网络设备：如路由器、交换机和网络处理器（NPU）中的数据包缓冲、查找表（LUT）、队列管理，得益于QDR-II+双数据速率架构（读/写独立总线、高达333MHz时钟、666MT/s有效带宽），可满足线速转发需求。 - 电信与基站设备：在4G/5G无线基站基带处理单元中，用作FPGA或ASIC的低延迟、高吞吐协作缓存，支撑实时信号处理与信道调度。 - 测试测量与高端工业设备：如高速示波器、逻辑分析仪的数据采集缓存，需纳秒级访问延迟与确定性时序，该器件支持流水线读写、突发访问及JTAG边界扫描（符合IEEE 1149.1），便于系统调试与可靠性验证。 - 军事与航空航天（因-ZI后缀表示工业级温度范围–40°C至+85°C，且具备高抗干扰性）：用于雷达信号处理、航电数据记录等对实时性、稳定性要求严苛的嵌入式系统。 注：该器件已停产（EOL），当前多用于存量设备维护或替代设计评估；新项目建议参考英飞凌后续兼容方案（如PSRAM或低功耗LPDDR系列）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 72MBIT 333MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49102 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1518KV18-333BZI |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| PCN过时产品 | http://www.cypress.com/?docID=44765 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 其它名称 | CY7C1518KV18333BZI |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II |
| 存储容量 | 72M（4M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 333MHz |
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