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产品简介:
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CY7C1515V18-167BZXI 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能、低功耗同步SRAM(静态随机存取存储器),属于1.8V VDD核心电压的18位×64K(1,048,576位)QDR-II+ SRAM。其关键特性包括167MHz时钟频率、双数据速率(DDR)读/写能力、支持独立读写端口及突发访问模式。 主要应用场景包括: • 高速网络设备:如路由器、交换机、防火墙中的数据包缓冲、FIFO队列和查找表(LUT),利用QDR-II+的高带宽(理论峰值约2.67 GB/s)满足线速转发需求; • 电信基础设施:基站基带处理单元(BBU)、OTN/SDH传输设备中用于信元/帧缓存、时隙交换及实时信号处理中间存储; • 高端测试与测量仪器:逻辑分析仪、高速示波器等需大深度、低延迟采样存储的场景,得益于其零等待周期、确定性访问延迟(<1.5 ns); • FPGA协处理器系统:作为Xilinx或Intel FPGA的外置高速缓存或共享内存,配合软核处理器(如MicroBlaze/Nios II)提升数据吞吐效率; • 军事/航天加固应用(因该型号含“X”后缀,符合工业级温度范围–40°C至+85°C及增强可靠性设计),适用于雷达信号处理、卫星载荷控制等对稳定性要求严苛的领域。 注:该器件已进入产品生命周期末期(EOL),新设计建议评估英飞凌后续兼容替代型号(如PSRAM或新型QDR-IV方案)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 72MBIT 167MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1515V18-167BZXI |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(15x17) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,QDR II |
| 存储容量 | 72M(2M x 36) |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 167MHz |