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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1512KV18-300BZXI由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1512KV18-300BZXI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1512KV18-300BZXI封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY7C1512KV18-300BZXI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C1512KV18-300BZXI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1512KV18-300BZXI 是英飞凌(Infineon Technologies)旗下的一款高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于QDR-II+(Quad Data Rate II Plus)架构,容量为72Mb(4M × 18位),工作频率达300MHz(tCLK=3.33ns),支持双倍数据速率读写,具备独立读/写端口与突发访问能力。 该器件主要面向对带宽、低延迟和确定性时序要求严苛的高端嵌入式与通信系统,典型应用场景包括: - 网络设备:用于高速路由器、交换机及网络处理器(NPU)中的数据包缓存、查找表(如TCAM辅助缓存)、队列管理与流量整形; - 电信基础设施:在基站基带单元(BBU)、光传输设备(OTN)中承担实时信号处理缓冲与FIFO功能; - 测试与测量仪器:高采样率示波器、逻辑分析仪中用作深度采集缓存; - 军工与航空航天:因其工业级温度范围(–40°C 至 +85°C)及高可靠性设计,适用于雷达信号处理、航电数据暂存等场景。 需注意:该型号已于2020年左右进入产品寿命终止(EOL)阶段,英飞凌已将其存储器业务(含CY系列)剥离并整合至Cypress(后被英飞凌全资收购并统一品牌),当前技术支持与供货建议通过英飞凌官方渠道确认替代型号(如基于LPDDR或新型QDR SRAM的升级方案)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC SRAM 72MBIT 300MHZ 165FBGA静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 1.8v 300MHz QDR II 静态随机存取存储器 |
| 产品分类 | 存储器集成电路 - IC |
| 品牌 | Cypress Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 内存,静态随机存取存储器,Cypress Semiconductor CY7C1512KV18-300BZXI- |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49103 |
| 产品型号 | CY7C1512KV18-300BZXI |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| 产品种类 | 静态随机存取存储器 |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(13x15) |
| 其它名称 | CY7C1512KV18300BZXI |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | Cypress Semiconductor |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,QDR II |
| 存储容量 | 72 Mbit |
| 存储类型 | QDR |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 封装/箱体 | FBGA-165 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 工厂包装数量 | 136 |
| 接口 | Parallel |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最大工作电流 | 750 mA |
| 最大时钟频率 | 300 MHz |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 电源电压-最大 | 1.9 V |
| 电源电压-最小 | 1.7 V |
| 类型 | Synchronous |
| 系列 | CY7C1512KV18 |
| 组织 | 4 M x 18 |
| 访问时间 | 0.45 ns |
| 速度 | 300MHz |