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产品简介:
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CY7C1312CV18-200BZC 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于1.8V供电的18位×64K(1.152Mb)QDR-II+ SRAM。其主要应用场景包括: - 高速网络设备:如路由器、交换机、防火墙中的数据包缓冲、查找表(LUT)、FIB(转发信息库)缓存,得益于QDR-II+双数据速率架构(读/写独立端口、200MHz时钟下等效400MT/s),可满足线速转发需求。 - 通信基站与无线基础设施:用于基带处理单元(BBU)中CPRI/OBSAI接口的数据暂存、信道编码/解码中间结果缓存,支持低延迟、确定性访问。 - 测试测量与高端FPGA协处理器系统:作为FPGA(如Xilinx Ultrascale/Kintex或Intel Stratix系列)的高速外部缓存或帧缓冲,提供无等待、全流水的读写带宽,适用于实时信号处理、雷达/视频流缓冲。 - 工业自动化与嵌入式实时系统:在需要纳秒级访问延迟和高可靠性的运动控制、PLC高速I/O模块中,用作共享内存或双CPU间高速通信缓冲。 该器件采用165-ball FBGA封装(BZC后缀),工作温度范围为0°C至70°C(商用级),具备JTAG边界扫描、可编程驱动强度及多种省电模式,适用于对带宽、时序确定性和功耗均有严苛要求的中高端嵌入式场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1312CV18-200BZC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(13x15) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,QDR II |
| 存储容量 | 18M(1M x 18) |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 200MHz |