【未分类_CPH6601-TL-E】封装/厂家_CPH6601-TL-E中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： CPH6601-TL-E
制造商： SANYO Semiconductor Company
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CPH6601-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH6601-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanyCPH6601-TL-E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CPH6601-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CPH6601-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CPH6601-TL-E 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的射频 N 沟道 MOSFET，采用小型表面贴装封装（SOT-563 / CPH6），专为高频、低功耗射频应用优化。其典型应用场景包括：

- 2.4 GHz ISM 频段无线设备：如 Wi-Fi 4/5（802.11n/ac）前端模块、蓝牙（Bluetooth 4.x/5.x）收发器中的功率放大器（PA）或开关驱动级，凭借低栅极电荷（Qg ≈ 0.7 nC）和快速开关特性，适合高效率、高线性度的射频信号处理。

- 物联网（IoT）终端节点：用于 Zigbee、Thread 或私有2.4 GHz协议的超低功耗射频模块中，作为末级驱动或天线开关控制器件，得益于其低导通电阻（Rds(on) ≈ 1.2 Ω @ Vgs=4.5V）与微小封装（1.6×1.6×0.55 mm），节省PCB空间并降低系统功耗。

- 便携式射频设备：如无线耳机、智能穿戴设备、遥控器等对尺寸、热耗散和电池寿命敏感的应用，该器件支持3–5 V单电源供电，具备良好的热稳定性与ESD防护能力（HBM ≥ 2 kV）。

需注意：CPH6601-TL-E 属于中低功率射频MOSFET（Pout ≤ 100 mW），不适用于蜂窝通信基站或高功率PA主放大级；设计时应配合匹配网络以优化50 Ω系统下的增益、效率与谐波抑制性能。

产品参数图文手册常见问题