Datasheet下载- 型号： CMZB18(TE12L,Q)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CMZB18(TE12L,Q)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CMZB18(TE12L,Q)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.CMZB18(TE12L,Q)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CMZB18(TE12L,Q)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CMZB18(TE12L,Q) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 18V 1W MFLAT |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | 点击此处下载产品Datasheethttp://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=CMZB12 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | CMZB18(TE12L,Q) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10µA @ 13V |
| 供应商器件封装 | M-FLAT（2.4x3.8） |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | SOD-128 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 18V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 30 欧姆 |
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