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- 型号： CL21C122JBFNNWG
- 制造商： SAMSUNG
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CL21C122JBFNNWG由SAMSUNG设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CL21C122JBFNNWG价格参考。SAMSUNGCL21C122JBFNNWG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CL21C122JBFNNWG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CL21C122JBFNNWG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Samsung Electro-Mechanics生产的CL21C122JBFNNWG是一款多层陶瓷电容器（MLCC），容值为1.2 nF（122表示1.2×10² pF），额定电压50 V，容差±5%（J），X7R温度特性，封装尺寸为0805（2.0×1.25 mm）。其典型应用场景包括： - 电源去耦与旁路：广泛用于数字IC（如MCU、FPGA、SoC）的VDD/VSS引脚附近，滤除高频噪声，稳定供电电压； - 信号耦合与隔直：在音频、射频前端或传感器信号链中，实现交流信号传递并阻断直流分量； - EMI抑制与滤波：配合磁珠或共模电感，构成π型或LC滤波网络，抑制开关电源、USB接口等产生的高频干扰； - 时钟与振荡电路：用于晶振负载电容匹配（需结合具体电路设计确认是否适用）、PLL环路滤波等； - 消费电子与工业控制板卡：适用于智能手机、平板、智能穿戴设备、家电主控板及工业HMI等对尺寸、可靠性与温漂有要求的场景。 该型号具备X7R介质良好的温度稳定性（±15% @ −55℃ to +125℃）和较低的ESL/ESR，适合中高频应用（数十MHz以内），但不适用于高精度定时或高压脉冲场合。实际选型需结合工作温度、纹波电流、PCB布局及安规要求综合评估。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 1200PF 50V 5% NP0 0805 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CL21C122JBFNNWG |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | |
| 产品系列 | CL |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.053"（1.35mm） |
| 大小/尺寸 | 0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | 0805（2012 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | 通用 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 3,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | - |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/samsung-mlcc-ceramic-capacitors/4040 |
| 电压-额定 | 50V |
| 电容 | 1200pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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