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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CL10C8R2CB8NNND
- 制造商： SAMSUNG
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CL10C8R2CB8NNND由SAMSUNG设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CL10C8R2CB8NNND价格参考。SAMSUNGCL10C8R2CB8NNND封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CL10C8R2CB8NNND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CL10C8R2CB8NNND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Samsung Electro-Mechanics生产的CL10C8R2CB8NNND是一款多层陶瓷电容器（MLCC），属于X7R温度特性、额定电压50V、容量8.2pF±0.25pF（C级精度）、封装尺寸为0603（1608公制）的高频精密型电容。其低容值、高稳定性与小尺寸特性，使其主要应用于高频信号路径中的精确匹配与耦合场景。 典型应用场景包括： 1. 射频（RF）电路：如智能手机、Wi-Fi 6/6E模块、蓝牙SoC中的阻抗匹配网络、天线调谐电路及RF前端滤波器，用于微调谐振频率与提升信号完整性； 2. 高速数字接口旁路/去耦：在时钟发生器、SerDes收发器或高速ADC/DAC参考电源附近，提供高频噪声抑制（尤其在GHz频段）； 3. 谐振与振荡电路：配合晶体或SAW器件构成高Q值振荡回路，适用于实时时钟（RTC）、无线传感节点等低功耗定时应用； 4. 测试与测量设备：在矢量网络分析仪（VNA）校准件、高频探头补偿网络中，作为精密容性元件保障测量精度。 该型号采用镍/铜/锡端电极（符合RoHS/无卤要求），具备良好可焊性与可靠性，适用于回流焊工艺。需注意其小容量特性不适用于电源滤波或大电流去耦，而专精于高频、低损耗、高精度模拟/射频功能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 8.2PF 50V NP0 0603 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CL10C8R2CB8NNND |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | |
| 产品系列 | CL |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.035"（0.90mm） |
| 大小/尺寸 | 0.063" 长 x 0.031" 宽（1.60mm x 0.80mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.25pF |
| 封装/外壳 | 0603（1608 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | 通用 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 10,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | - |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/samsung-mlcc-ceramic-capacitors/4040 |
| 电压-额定 | 50V |
| 电容 | 8.2pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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