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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CDZT2R3.9B由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDZT2R3.9B价格参考。ROHM SemiconductorCDZT2R3.9B封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CDZT2R3.9B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CDZT2R3.9B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CDZT2R3.9B 是罗姆(ROHM)半导体推出的表面贴装型齐纳二极管,标称稳压值为3.9 V(容差±2%),功率为200 mW,采用小型SOD-123FL封装。其主要应用场景包括: 1. 低功耗电压基准与稳压:适用于便携式设备(如TWS耳机、可穿戴设备、传感器节点)中对微小电流(通常5–20 mA)进行精密参考电压设定或局部稳压,例如为MCU的ADC参考源或比较器提供稳定基准。 2. 过压保护与钳位:在信号线(如I²C、UART接口)或电源输入端,与限流电阻配合,实现瞬态过压吸收与电平钳位,防止后级IC(如逻辑门、传感器)因浪涌或ESD受损。 3. 低成本反馈电路:用于简单开关电源(如DC-DC转换器)或LDO的反馈分压网络中,替代高精度基准芯片以降低成本与PCB面积,适用于对温漂和长期稳定性要求不苛刻的消费类应用。 4. 电池电压监测:在单节锂电(标称3.7 V)或3.3 V系统中,用作粗略电量指示或欠压锁定(UVLO)阈值检测元件。 该器件具有低动态阻抗(典型15 Ω)、良好温度稳定性(TC ≈ ±0.07%/°C)及AEC-Q200兼容版本(部分批次),亦可用于车规级辅助电路(如车身控制模块中的非安全相关传感供电)。需注意其功率限制,避免持续大电流工作;设计时建议留足裕量并校验功耗(P = Vz × Iz)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3.9V 100MW VMN2 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | CDZT2R3.9B |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | VMN2 |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±3% |
| 封装/外壳 | 2-SMD,扁平引线 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 3.9V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 100 欧姆 |