图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CDV30FF821FO3由Cornell Dubilier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV30FF821FO3价格参考。Cornell DubilierCDV30FF821FO3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CDV30FF821FO3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CDV30FF821FO3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CDV30FF821FO3 是一款标称容量为820 pF(821表示82×10¹ pF)、容差±1%(F)、额定电压通常为100 V DC(依据CDV系列典型规格)、采用云母(Mica)与聚四氟乙烯(PTFE)复合介质的精密射频电容器。其“FF”后缀常代表高稳定性、低损耗、超低老化率的军用/工业级封装。 该器件主要应用于对频率稳定性、温度系数、Q值及长期可靠性要求极高的场景: 1. 高精度射频振荡电路——如晶体振荡器(XO)、压控振荡器(VCO)的负载/微调电容,利用云母-PTFE组合优异的-20~+40 ppm/℃温度系数和极低介质损耗(tanδ < 0.0002),保障频率漂移小、相位噪声低; 2. 高端通信设备滤波与匹配网络——在5G基站前端、卫星通信收发模块中,用于L/S波段(1–4 GHz)带通/带阻滤波器及天线阻抗匹配,发挥其高Q值(>10,000 @ 1 MHz)和高绝缘电阻(>10⁴ GΩ)优势; 3. 精密测试仪器与时钟基准电路——如频谱分析仪、矢量网络分析仪(VNA)内部校准单元,以及原子钟、GPS接收机的参考时钟整形电路,依赖其极低老化率(<10 ppm/10年)和抗湿度/辐射稳定性。 注:该型号无明确商业品牌标注(“品牌为-”),属通用高可靠性无源元件,常见于航天、军工及高端医疗电子(如MRI射频前端)等严苛环境。实际应用需结合具体厂商数据手册确认额定电压、温度范围及焊接工艺要求。