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- 型号： CBR06C129C1GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR06C129C1GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR06C129C1GAC价格参考。KemetCBR06C129C1GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR06C129C1GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR06C129C1GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CBR06C129C1GAC 是一款由村田（Murata）生产的高可靠性多层陶瓷电容器（MLCC），属于“-”品牌（即村田，其官方标识常简写为“-”或无显性品牌文字，但型号前缀CBR为其标准系列）。该器件容值为1.2 pF（129表示12×10⁹ pF = 1.2 pF），容差±0.25 pF（C），额定电压100 V（1G），封装尺寸0603（1608公制），采用C0G/NP0类温度特性介质，具有极低的容值漂移（±30 ppm/℃）、优异的Q值及频率稳定性。 典型应用场景包括： 1. 高频射频电路：如5G通信模块、Wi-Fi 6/7前端、毫米波收发器中的阻抗匹配、谐振调谐与滤波网络； 2. 精密时钟与振荡电路：用于晶体振荡器（XO/TCXO）负载电容微调，保障频率精度与时基稳定性； 3. 高速信号链路：在ADC/DAC参考电压旁路、高速SerDes通道AC耦合中提供低损耗、低相位噪声的耦合/去耦功能； 4. 测试测量设备：矢量网络分析仪（VNA）、频谱分析仪等对容值精度和高频性能要求严苛的校准与补偿电路。 因其C0G介质零TC（温度系数）和超低老化率，特别适用于需长期稳定、宽温工作（-55℃~+125℃）且不容许容值偏移的关键节点。不适用于大电流滤波或电源去耦主路径，而聚焦于信号完整性与频率控制等高精度模拟/射频场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 1.2PF 100V NP0 0603 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR06C129C1GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.034"（0.87mm） |
| 大小/尺寸 | 0.063" 长 x 0.031" 宽（1.60mm x 0.80mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.25pF |
| 封装/外壳 | 0603（1608 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 4,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 100V |
| 电容 | 1.2pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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