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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84C4V3T-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84C4V3T-7-F价格参考。Diodes Inc.BZX84C4V3T-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZX84C4V3T-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZX84C4V3T-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZX84C4V3T-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。其主要应用场景如下: 1. 电压稳压 BZX84C4V3T-7-F 的齐纳击穿电压为 4.3V,非常适合用于电路中的电压稳压。例如,在电源电路中,它可以将输出电压稳定在特定值,确保后级电路的正常工作。这种特性常用于低功耗设备、传感器供电以及音频放大器等场合。 2. 过压保护 在电子系统中,该齐纳二极管可以用来防止输入或输出端口受到过高电压的影响。例如,在 USB 接口、通信接口(如 RS-232 或 I2C)中,它可以限制瞬态高压,保护敏感元件免受损坏。 3. 信号电平转换 在需要将高电压信号转换为低电压信号的场景中,BZX84C4V3T-7-F 可以用作电平转换器。例如,在数字电路与模拟电路之间的接口中,它能够将信号电压钳位到合适的范围。 4. 参考电压源 齐纳二极管可以用作简单的参考电压源。由于 BZX84C4V3T-7-F 的击穿电压精度较高,它可以在一些对精度要求不高的应用中替代更复杂的稳压电路,如在 ADC 或 DAC 的基准电压生成中。 5. 浪涌抑制 在电源输入端或其他可能产生电压浪涌的地方,这款齐纳二极管可以吸收短暂的高电压脉冲,从而保护下游电路。例如,在开关电源或电机驱动电路中,它可以抑制感性负载引起的反电动势。 6. 电池管理 在电池充电或监控电路中,BZX84C4V3T-7-F 可以用来检测和限制电池电压,防止过充或过放。例如,在小型锂电池管理系统中,它可以作为关键组件之一。 总结 BZX84C4V3T-7-F 凭借其 4.3V 的齐纳电压、小封装(SOD-323)、低功耗和高可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域。它的典型应用场景包括电压稳压、过压保护、信号电平转换、参考电压源、浪涌抑制和电池管理等。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 4.3V 150MW SOT523稳压二极管 150MW 4.3V |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated BZX84C4V3T-7-F- |
数据手册 | |
产品型号 | BZX84C4V3T-7-F |
PCN设计/规格 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 1V |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOT-523 |
功率-最大值 | 150mW |
功率耗散 | 150 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±7% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-523 |
封装/箱体 | SOT-523 |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 3 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 90 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 4.3V |
电压容差 | 5 % |
电压温度系数 | - 1.75 mV/C |
系列 | BZX84C4V3 |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 90 欧姆 |
齐纳电压 | 4.3 V |