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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZT52C10S-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZT52C10S-7-F价格参考。Diodes Inc.BZT52C10S-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZT52C10S-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZT52C10S-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZT52C10S-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。其主要应用场景包括: 1. 电压稳压: BZT52C10S-7-F 的齐纳击穿电压为 10V,适合用于电路中的电压稳压功能。它可以将输出电压稳定在特定值,保护后级电路免受电压波动的影响,常用于低功耗的电源稳压电路。 2. 过压保护: 在电源输入或信号传输中,可能会出现瞬时过压情况。该齐纳二极管可以快速响应并钳位过高的电压,防止敏感元件受损。例如,在 USB 接口、传感器输入端或通信线路中提供保护。 3. 信号电平转换: 在模拟信号处理中,BZT52C10S-7-F 可用于限制信号的幅值范围,确保信号电平符合后续电路的要求。例如,音频信号处理或数据传输中的电平调整。 4. 参考电压源: 由于其稳定的击穿电压特性,该二极管可以用作简单电路中的参考电压源。虽然精度不如专门的基准电压芯片,但在成本敏感的应用中是一个经济的选择。 5. 浪涌抑制: 在工业控制或汽车电子中,可能会遇到较大的电压浪涌。BZT52C10S-7-F 能够吸收这些瞬态浪涌能量,保护核心电路不受损害。 6. 电池充电保护: 在小型电池充电电路中,齐纳二极管可以用来监控和限制充电电压,防止过充对电池造成损坏。 总之,BZT52C10S-7-F 因其高可靠性、小封装和低成本特点,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域,特别是在需要电压稳压、过压保护和信号调节的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 10V 200MW SOD323稳压二极管 10V 200mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated BZT52C10S-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZT52C10S-7-F |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 7V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-323 |
| 其它名称 | BZT52C10S-FDICT |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±6% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-76,SOD-323 |
| 封装/箱体 | SOD-323 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 20 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 10V |
| 电压容差 | 6 % |
| 电压温度系数 | 6.25 mV/C |
| 系列 | BZT52C10S |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 20 欧姆 |
| 齐纳电压 | 10 V |
| 齐纳电流 | 5 mA |