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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BUK9E2R3-40E,127
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9E2R3-40E,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9E2R3-40E,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK9E2R3-40E,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK9E2R3-40E,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK9E2R3-40E,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK9E2R3-40E,127 是恩智浦（NXP）推出的N沟道逻辑电平增强型MOSFET，采用LFPAK56封装，具有超低导通电阻（RDS(on)典型值仅2.3 mΩ @ VGS = 10 V）、40 V耐压及高电流能力（ID连续达120 A），支持175°C结温，具备AEC-Q101汽车级认证。 其主要应用场景集中于汽车电子与工业高效率电源管理领域： - 车载负载开关：如车身控制模块（BCM）中的车灯（LED大灯、尾灯）、雨刷、座椅加热、风扇等直流负载的智能驱动与过流/短路保护； - 电动助力转向（EPS）与电子节气门控制中的预驱或功率级开关； - 48V轻混动力系统（MHEV）中DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）的高压侧开关或同步整流； - 工业领域适用于高密度DC/DC模块、电机驱动H桥低端开关、热插拔电路及固态继电器（SSR）等需低损耗、快速开关（tf ≈ 12 ns）和强鲁棒性的场合。 该器件集成低阈值电压（VGS(th)典型2.0 V），可直接由MCU GPIO（3.3V/5V）驱动，无需额外电平转换或驱动IC，简化设计并提升系统可靠性。其LFPAK56封装兼具优异散热性与PCB贴装稳定性，适合严苛环境下的长期运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK9E2R3-40E,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13160pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 87.8nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.2 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-9871-5 |
| 功率-最大值 | 293W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Ta） |
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