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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BFL4007由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFL4007价格参考。ON SemiconductorBFL4007封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BFL4007参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFL4007 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFL4007 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款高性能N沟道增强型垂直双扩散MOSFET(VDMOS),采用SOT-223封装,具有低导通电阻(RDS(on)典型值约0.15Ω @ VGS=10V)、高击穿电压(VDSS=60V)和良好热稳定性。其主要应用场景包括: 1. DC-DC电源转换:常用于中低功率开关电源、POL(Point-of-Load)模块及同步整流电路,提升转换效率; 2. 电机驱动:适用于小型直流电机、步进电机的H桥或半桥驱动电路,支持PWM调速; 3. LED照明驱动:作为恒流开关管,用于LED恒流源或调光控制电路; 4. 负载开关与电源管理:在便携设备、工业控制板中用作电子保险丝、热插拔保护或电源通断控制; 5. 电池管理系统(BMS):用于充放电路径控制、电池保护电路中的主开关。 该器件具备雪崩耐量(Rugged Avalanche Rated),适合存在感性负载或电压瞬变的工业环境;SOT-223封装便于PCB布局与散热,兼顾成本与可靠性。需注意其栅极驱动电压建议为4.5–15V,设计时应配合适当的驱动电路以确保快速开关并降低损耗。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 8.7A TO-220FI |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BFL4007 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 46nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 680 毫欧 @ 7A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-220FI(LS) |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 100 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8.7A (Ta) |