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BCW68GLT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BCW68GLT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BCW68GLT1G价格参考。ON SemiconductorBCW68GLT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 800mA 100MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载BCW68GLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BCW68GLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BCW68GLT1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于通用小信号晶体管。该器件采用SOT-23封装,具有体积小、可靠性高、开关响应快等特点,广泛应用于各类电子电路中。 其主要应用场景包括: 1. 信号放大:适用于音频信号、传感器信号等小信号的放大电路,常见于消费类电子产品如手机、耳机放大器、便携式音频设备中。 2. 开关控制:作为低功率开关使用,可驱动LED、继电器、小型电机或逻辑电路中的电平转换,广泛用于家电控制板、电源管理模块和嵌入式系统。 3. 电源管理:在DC-DC转换器、电压调节电路中作为通断元件,协助实现高效的能量转换。 4. 通信设备:用于射频(RF)前端模块或接口电路中的信号调制与解调,适用于无线模块、蓝牙设备和IoT终端。 5. 工业与汽车电子:由于具备良好的温度稳定性和可靠性,也常用于汽车电子控制系统(如车灯控制、传感器接口)及工业自动化设备中的信号处理单元。 BCW68GLT1G符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适合现代绿色电子产品制造。其高增益性能和稳定的电气特性使其成为众多中小功率模拟与数字电路中的优选器件。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PNP GP 45V 800MA SOT-23两极晶体管 - BJT 100mA 60V PNP |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BCW68GLT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | BCW68GLT1G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.5V @ 30mA,300mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 10mA,1V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | BCW68GLT1GOSDKR |
功率-最大值 | 225mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 225 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.8 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 45V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 800mA |
电流-集电极截止(最大值) | 20nA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
系列 | BCW68GL |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 45 V |
集电极—基极电压VCBO | - 60 V |
集电极—射极饱和电压 | - 1.5 V |
集电极连续电流 | - 0.8 A |
频率-跃迁 | 100MHz |