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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5550RLRPG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5550RLRPG价格参考。ON Semiconductor2N5550RLRPG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N5550RLRPG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N5550RLRPG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的2N5550RLRPG是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于通用放大和开关应用的中压晶体管。该器件广泛应用于模拟与数字电路中,适用于需要中等电压和电流处理能力的场景。 典型应用场景包括: 1. 信号放大:在音频、射频或小信号放大电路中作为前置放大器使用,因其具有良好的增益特性和频率响应。 2. 开关电路:用于电源控制、继电器驱动、LED驱动等开关应用,可实现快速通断控制。 3. 电源管理:在DC-DC转换器、稳压电源中作为调整管或辅助开关元件。 4. 工业控制:在PLC模块、传感器接口电路中用于信号调理和驱动。 5. 消费电子:应用于电视、音响、充电器等设备中的小功率控制电路。 2N5550RLRPG的最大集电极-发射极电压为160V,适合高压环境下的工作,同时具备较高的直流电流增益和良好的热稳定性。其SOT-23封装体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用,适用于对空间要求较高的现代电子产品。 总体而言,该型号因其可靠性高、性能稳定,被广泛用于工业、消费类及通信设备中的中低压放大与开关场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN SS GP 0.6A 140V TO-92两极晶体管 - BJT 600mA 160V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2N5550RLRPG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N5550RLRPG |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 10mA,5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 带盒(TB) |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Ammo Pack |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 (TO-226) |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 625 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 140V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 600mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 系列 | 2N5550 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 140 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 160 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.25 V |
| 集电极连续电流 | 0.6 A |
| 频率-跃迁 | 300MHz |