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  • 型号: BC848CDXV6T1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BC848CDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC848CDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorBC848CDXV6T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BC848CDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC848CDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BC848CDXV6T1G 是安森美(ON Semiconductor)推出的双极结型晶体管(BJT)阵列,采用SOT-563封装,内含两个独立的NPN晶体管(共发射极配置),具有匹配特性(如hFE、VBE、开关时间等),适用于高密度、低成本、需双路信号处理的场景。

典型应用场景包括:  
1. 数字逻辑电平转换与缓冲:在微控制器I/O扩展、FPGA/CPLD接口中,用作双路电平移位或驱动缓冲器;  
2. LED驱动电路:驱动两路中低电流LED(如状态指示灯、背光控制),支持PWM调光;  
3. 传感器信号调理:配合光电传感器、霍尔开关等,实现双通道信号放大、整形或开关控制;  
4. 电源管理辅助电路:用于双路负载开关、使能控制(EN/CTRL)、LDO或DC-DC芯片的反馈/使能路径;  
5. 通信接口保护与驱动:在RS-232/RS-485收发器外围,提供ESD钳位、总线端接或驱动增强功能;  
6. 消费电子与工业控制板卡:因体积小、成本优、一致性好,广泛用于打印机、机顶盒、智能电表、PLC模块等空间受限设备中的通用双路开关/放大单元。

该器件具备±200 mA集电极电流(IC)、50 V VCEO、典型hFE为420–800(@IC=2 mA),支持-55°C至+150°C工作温度,符合AEC-Q101车规标准(部分批次),亦适用于严苛工业环境。其匹配设计可简化电路,减少元件数量,提升系统可靠性与PCB布局效率。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS DUAL NPN 30V 100MA SOT563

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

BC848CDXV6T1G

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

600mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

420 @ 2mA,5V

供应商器件封装

SOT-563

功率-最大值

500mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

晶体管类型

2 NPN(双)

标准包装

4,000

电压-集射极击穿(最大值)

30V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

频率-跃迁

100MHz

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