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BC818-40LT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BC818-40LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC818-40LT1G价格参考。ON SemiconductorBC818-40LT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, Bipolar (BJT) Transistor NPN 25V 500mA 100MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载BC818-40LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC818-40LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC818-40LT1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于通用放大和开关应用的中功率晶体管。该器件采用SOT-23小型表面贴装封装,适合高密度PCB布局,广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。 其主要应用场景包括:信号放大电路,如音频前置放大或小信号处理;各类开关电路,例如驱动LED、继电器或小型负载的控制;在电源管理模块中作为线性调节或电流控制元件;以及在传感器接口电路中实现电平转换与信号调理。由于其直流电流增益较高(hFE典型值达250以上)且饱和压降低,特别适合低功耗、高效率设计需求。 此外,BC818-40LT1G符合RoHS环保标准,具备良好的温度稳定性,可在-55°C至+150°C结温范围内可靠工作,适用于对可靠性要求较高的工业环境。常用于便携式设备、智能家居产品、电源适配器、电机控制板及各类嵌入式系统中。因其性价比高、供货稳定,在替代传统通孔晶体管的表贴方案中具有广泛应用优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 25V 500MA SOT-23两极晶体管 - BJT 500mA 30V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC818-40LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC818-40LT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 700mV @ 50mA,500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 250 @ 100mA,1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | BC818-40LT1G-ND |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 25V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 250 |
| 系列 | BC818 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 25 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 30 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.7 V |
| 集电极连续电流 | 0.5 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |