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  • 型号: PMBT4403,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PMBT4403,215产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMBT4403,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBT4403,215价格参考。NXP SemiconductorsPMBT4403,215封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 40V 600mA 200MHz 250mW 表面贴装 TO-236AB。您可以下载PMBT4403,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMBT4403,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PMBT4403,215 是 NXP USA Inc. 推出的通用型 PNP 硅双极结型晶体管(BJT),采用小型 SOT-23 表面贴装封装,具有高增益(hFE 典型值 100–300)、低饱和压降(VCE(sat) ≈ 0.2 V @ IC = 10 mA)和快速开关特性(tf < 25 ns)。其典型应用场景包括:

- 小信号放大:用于音频前置放大、传感器信号调理等低压、低电流模拟电路;  
- 逻辑电平转换与接口驱动:在微控制器(如 ARM、PIC)I/O 口与继电器、LED、蜂鸣器等负载之间实现电平匹配与电流增强;  
- 开关控制电路:常用于电源管理中的负载开关、LED 背光控制、电机/电磁阀的小功率驱动(IC ≤ 200 mA);  
- 消费电子与便携设备:因体积小、功耗低,广泛应用于智能手机周边电路、可穿戴设备、蓝牙模块、遥控器等;  
- 工业与汽车电子辅助电路:在车载信息娱乐系统、车身控制模块中用作状态指示驱动或信号隔离开关(符合 AEC-Q200 基础可靠性要求,但需注意该型号非车规级,具体应用应确认设计规范)。

注意:PMBT4403,215 为通用型器件,不适用于高压(VCEO = –40 V)、大电流或高可靠性车规/工业主控场景,选型时需结合实际电压、频率及温度条件进行裕量设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PNP SW 600MA 40V SOT23两极晶体管 - BJT PNP SW 600MA 40V

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMBT4403,215-

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产品型号

PMBT4403,215

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

750mV @ 50mA,500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 150mA,2V

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23 (TO-236AB)

其它名称

568-1744-1

功率-最大值

250mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

200 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

250 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.6 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

40V

电流-集电极(Ic)(最大值)

600mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

30 at 0.1 mA at 1 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

30 at 0.1 mA at 1 V, 60 at 1 mA at 1 V, 100 at 10 mA at 1 V, 100 at 150 mA at 2 V, 20 at 500 mA at 2 V

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

40 V

集电极—基极电压VCBO

40 V

零件号别名

PMBT4403 T/R

频率-跃迁

200MHz

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