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PMBT4403,215产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMBT4403,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBT4403,215价格参考。NXP SemiconductorsPMBT4403,215封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 40V 600mA 200MHz 250mW 表面贴装 TO-236AB。您可以下载PMBT4403,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMBT4403,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMBT4403,215 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款双极型晶体管(BJT),属于小信号晶体管类别,具体为 NPN 型。其主要应用场景包括: 1. 开关应用 - PMBT4403,215 可用于各种电子电路中的开关功能。例如,在数字电路中作为逻辑电平转换或驱动负载的开关。 - 应用实例:继电器驱动、LED 驱动、小型电机控制等。 2. 信号放大 - 该晶体管适用于低功率音频信号放大或其他小信号放大的场景。其高增益特性使其在多级放大器设计中表现良好。 - 应用实例:耳机放大器、麦克风前置放大器、无线通信设备中的信号增强。 3. 射频(RF)应用 - PMBT4403,215 具有良好的高频性能,适合用于射频电路中的小信号放大和混频。 - 应用实例:收音机前端放大、无线遥控模块、蓝牙设备中的信号处理。 4. 电源管理 - 在低功耗系统中,该晶体管可用作简单的电流调节或电压调节元件。 - 应用实例:锂电池保护电路、稳压电路中的调整管。 5. 传感器接口 - 结合传感器使用时,PMBT4403,215 可以对微弱信号进行放大或驱动后续电路。 - 应用实例:温度传感器信号放大、光电二极管信号处理。 6. 消费电子产品 - 该型号广泛应用于各类消费电子产品中,如玩具、家用电器、便携式设备等。 - 应用实例:遥控器、电子琴、电子钟等。 特性总结 - 封装形式:SOT-323(微型表面贴装封装),适合高密度电路板设计。 - 工作电压:最大集电极-发射极电压(Vce)为 30V,适合低压环境。 - 电流能力:持续集电极电流(Ic)为 100mA,适合小功率应用。 - 增益:高电流增益(hFE),确保高效信号放大和开关性能。 综上所述,PMBT4403,215 是一款通用性强的小信号晶体管,适用于多种低功耗、高频或小信号处理场景,特别适合对体积和成本敏感的设计项目。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PNP SW 600MA 40V SOT23两极晶体管 - BJT PNP SW 600MA 40V |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMBT4403,215- |
数据手册 | |
产品型号 | PMBT4403,215 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 750mV @ 50mA,500mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,2V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
其它名称 | 568-1744-1 |
功率-最大值 | 250mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | NXP Semiconductors |
增益带宽产品fT | 200 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 250 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 600mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 30 at 0.1 mA at 1 V |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 at 0.1 mA at 1 V, 60 at 1 mA at 1 V, 100 at 10 mA at 1 V, 100 at 150 mA at 2 V, 20 at 500 mA at 2 V |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
集电极—基极电压VCBO | 40 V |
零件号别名 | PMBT4403 T/R |
频率-跃迁 | 200MHz |