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  • 型号: FMMT6520TA
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FMMT6520TA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FMMT6520TA价格参考。Diodes Inc.FMMT6520TA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FMMT6520TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FMMT6520TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FMMT6520TA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管 - 双极 (BJT) - 单型号。该器件属于 NPN 类型的双极性晶体管,广泛应用于各种电子电路中,主要用作开关和信号放大。以下是其常见的应用场景:

1. 开关应用:  
   FMMT6520TA 适合用于低功耗、高频开关电路。它能够快速切换状态,适用于驱动小型负载,如 LED、继电器或小型电机等。其小封装(SOT-323)使其非常适合空间受限的设计。

2. 信号放大:  
   该晶体管可作为音频或其他低功率信号的放大器使用。由于其增益较高(典型值为 420),适合用于需要信号增强的场景,例如麦克风前置放大器或无线通信中的信号处理。

3. 电源管理:  
   在便携式设备中,FMMT6520TA 可用于简单的电源管理任务,例如电池监测电路或负载调节电路。它的低饱和电压特性有助于提高效率,减少功耗。

4. 接口电路:  
   该晶体管可用于逻辑电平转换或驱动外部设备的接口电路。例如,在微控制器与外围设备之间提供电流放大或电平匹配功能。

5. 脉宽调制 (PWM) 控制:  
   在 PWM 控制电路中,FMMT6520TA 可用作驱动级晶体管,实现对亮度、速度或其他参数的精确控制。

6. 射频 (RF) 应用:  
   虽然 FMMT6520TA 不是专门设计用于高功率 RF 场合,但其高频特性使其适用于一些低功率 RF 信号的放大或调制解调电路。

7. 保护电路:  
   该晶体管可以用于过流保护或短路检测电路中,通过监测电流变化来触发保护机制。

总结来说,FMMT6520TA 的小型化、高效能和高增益特点使其成为消费电子、通信设备、工业控制以及汽车电子等领域中理想的通用晶体管选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR PNP HV 350V SOT23-3两极晶体管 - BJT PNP High Voltage

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated FMMT6520TA-

数据手册

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产品型号

FMMT6520TA

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1V @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

20 @ 50mA,10V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23-3

其它名称

FMMT6520CT
FMMT6520TA-ND

功率-最大值

330mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

- 5 V

商标

Diodes Incorporated

增益带宽产品fT

50 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

330 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.5 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

350V

电流-集电极(Ic)(最大值)

500mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

20 at 1 mA at 10 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

20 at 1 mA at 10 V, 30 at 10 mA at 10 V, 30 at 30 mA at 10 V, 20 at 50 mA at 10 V, 15 at 100 mA at 10 V

系列

FMMT6520

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

350 V

集电极—基极电压VCBO

350 V

集电极—射极饱和电压

- 1 V

集电极连续电流

- 0.5 A

频率-跃迁

50MHz

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