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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MSD42WT1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSD42WT1价格参考。ON SemiconductorMSD42WT1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MSD42WT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MSD42WT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为MSD42WT1的晶体管由安森美半导体(ON Semiconductor)生产,属于双极型晶体管(BJT)中的一种NPN型晶体管。该晶体管主要应用于中等功率放大和开关电路中,具有较高的电流承载能力和较好的热稳定性。 MSD42WT1常用于电源管理、电机控制、继电器驱动、LED照明以及工业自动化设备中的开关电路。由于其具备较高的集电极-发射极击穿电压(通常可达40V以上),并支持较大的集电极电流,因此适用于需要可靠性和稳定性的工业环境。 此外,该晶体管也常用于消费类电子产品中,如家用电器、音频放大器和电源适配器等,作为功率开关或信号放大元件。由于其采用小型封装(如SOT-23或类似封装),节省空间,适合高密度PCB布局。 总体而言,MSD42WT1是一款性能稳定、应用广泛的BJT晶体管,适用于多种中低频、中等功率的电子电路设计中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS NPN GP BIPO 300V SOT-323 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MSD42WT1 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 2mA,20mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 40 @ 30mA,10V |
供应商器件封装 | SC-70-3(SOT323) |
功率-最大值 | 150mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
晶体管类型 | NPN |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 300V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 150mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
频率-跃迁 | - |