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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD112TF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD112TF价格参考。Fairchild SemiconductorMJD112TF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJD112TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJD112TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJD112TF 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 型单晶体管。它广泛应用于需要中等功率处理能力的电路中,以下是其主要应用场景: 1. 开关应用: MJD112TF 常用于开关电路中,例如继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制。它的高电流处理能力(最大集电极电流为 5A)和低饱和电压使其适合在这些场景中实现高效开关。 2. 音频放大器: 该晶体管可用于音频信号放大器的设计,尤其是在功率输出级。它的增益特性(hFE)和良好的线性性能使其能够提供高质量的音频信号放大。 3. 电源管理: 在一些简单的电源管理电路中,MJD112TF 可作为电流调节器或稳压器的一部分,用于限制输出电流或稳定电压。 4. 信号放大: 由于其较高的直流电流增益(典型值为 20-80),MJD112TF 适用于信号放大的场合,例如传感器信号放大或通信设备中的小信号增强。 5. 负载驱动: 该晶体管可以驱动各种负载,如电磁阀、小型扬声器或灯泡等。其封装形式(TO-225AC)具有较好的散热性能,适合中等功率负载的应用。 6. 保护电路: 在某些保护电路中,MJD112TF 可用作过流保护或短路保护的开关元件,通过检测异常电流并切断电路来保护系统。 总结来说,MJD112TF 的典型应用场景包括开关、放大、驱动和保护等功能,适用于需要中等功率处理能力和可靠性能的电子设备中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR NPN DARL 100V 2A DPAK达林顿晶体管 NPN Si Transistor Darlington |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,Fairchild Semiconductor MJD112TF- |
数据手册 | |
产品型号 | MJD112TF |
PCN封装 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 3V @ 40mA,4A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 1000 @ 2A,3V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 达林顿晶体管 |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | MJD112TFDKR |
功率-最大值 | 1.75W |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 260.370 mg |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | TO-252 |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 2 A |
最大集电极截止电流 | 20 uA |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 100V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
电流-集电极截止(最大值) | 20µA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
系列 | MJD112 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
集电极—基极电压VCBO | 100 V |
零件号别名 | MJD112TF_NL |
频率-跃迁 | 25MHz |