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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BAS19LT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BAS19LT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BAS19LT1价格参考。ON SemiconductorBAS19LT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BAS19LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BAS19LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BAS19LT1是安森美（ON Semiconductor）推出的高速开关二极管（虽常归类为“整流器-单”，但实际更侧重于高速开关而非功率整流），采用SOT-23封装，具有低正向压降（约1.0 V @ 200 mA）、快速反向恢复时间（典型4 ns）、高反向击穿电压（VBR ≥ 60 V）和峰值重复反向电压（VRRM = 60 V）等特点。 其典型应用场景包括： ✅ 高速数字电路中的信号钳位与逻辑电平转换； ✅ 小信号整流（如传感器信号调理、低功耗电源采样）； ✅ 高频开关电源（SMPS）中的续流/箝位二极管（适用于低电流、高频率场合，如DC-DC转换器反馈环路或栅极驱动保护）； ✅ 消费电子（如手机、TWS耳机、IoT设备）中ESD保护前端的限幅/隔离； ✅ 模拟开关、多路复用器及采样保持电路中的防倒灌或信号隔离元件。 需注意：BAS19LT1额定平均整流电流仅200 mA（峰值300 mA），不适用于大电流工频整流（如AC-DC主整流），而专精于小信号、高频、低功耗场景。设计时应关注其结电容（约4 pF）对高频性能的影响，并确保PCB布局紧凑以发挥高速优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE SWITCH 120V 0.2A SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/整流器 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BAS19LT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.25V @ 200mA |
| 不同 Vr、F时的电容 | 5pF @ 0V，1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 100V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | BAS19LT1OSCT |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 反向恢复时间(trr) | 50ns |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度-结 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 120V |
| 电流-平均整流(Io) | 200mA（DC） |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
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