Datasheet下载- 型号： 71V416S10BE
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V416S10BE由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V416S10BE价格参考。Integrated Device Technology71V416S10BE封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V416S10BE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V416S10BE 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IDT（Integrated Device Technology Inc.）的71V416S10BE是一款高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），属于异步SRAM产品系列，容量为256K × 16位（即4Mb），工作电压为3.3V，访问时间典型值为10纳秒。该型号广泛应用于对数据读写速度和系统稳定性要求较高的场景。 主要应用场景包括：通信设备中的高速缓存，如路由器、交换机的数据缓冲模块；工业控制设备中用于实时数据处理与暂存；网络基础设施设备中的协议处理单元；测试与测量仪器中需要快速响应的数据采集系统；以及嵌入式系统中的高性能微处理器或DSP协处理器配套存储单元。由于其高速访问能力和可靠的CMOS工艺，71V416S10BE特别适用于需频繁读写且延迟敏感的应用环境。 此外，该器件具备低功耗特性与宽温工作范围，适合在工业级温度环境（-40°C 至 +85°C）下稳定运行，因此也常见于恶劣环境下的工业自动化和电信基站设备中。尽管当前部分领域逐渐转向同步SRAM或DRAM，但在一些传统高性能异步系统设计中，71V416S10BE仍具有重要应用价值。
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