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- 型号： 71V3578YS133PF
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V3578YS133PF由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V3578YS133PF价格参考。Integrated Device Technology71V3578YS133PF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V3578YS133PF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V3578YS133PF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IDT（Integrated Device Technology Inc.）的71V3578YS133PF是一款高性能、低功耗的3.3V CMOS静态RAM（SRAM），容量为256K × 36位（即9Mb），采用133MHz（7.5ns周期）高速异步访问，封装为100引脚TQFP（PF后缀），带可编程输出驱动强度与可选字节写使能。 其典型应用场景包括： - 网络通信设备：用作路由器、交换机、防火墙等中的高速数据包缓冲、查找表（LUT）、FIFO暂存或控制平面缓存； - 电信基础设施：在基站基带处理单元（BBU）、光传输设备（OTN/SDH）中支持实时信令处理与帧缓存； - 工业自动化与嵌入式系统：作为FPGA或DSP的外扩高速本地存储，用于实时图像处理、运动控制算法中间数据暂存； - 测试测量仪器：在高速逻辑分析仪、示波器中实现深度采集缓存，保障高采样率下的长时间波形存储； - 军事/航天加固应用（需选用对应等级版本）：因IDT该系列具备良好温度稳定性与抗干扰特性，适用于车载、机载等严苛环境下的关键缓存需求。 需注意：该器件为并行异步SRAM，不适用于需要串行接口（如SPI/QSPI）或低功耗待机（如LPDDR）的场景；设计时应关注地址/数据总线匹配、去耦电容布局及信号完整性，以充分发挥133MHz性能。
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