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  • 型号: 71V35761S183PFI
  • 制造商: Integrated Device Technology
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供71V35761S183PFI由Integrated Device Technology设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V35761S183PFI价格参考。Integrated Device Technology71V35761S183PFI封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载71V35761S183PFI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有71V35761S183PFI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

该器件“71V35761S183PFI”实为IDT(Integrated Device Technology,现属瑞萨电子)出品的高速异步静态RAM(SRAM),非存储器品牌“-”(应为信息缺失或误填)。其型号解析如下:“71V35761”为IDT经典高性能SRAM系列,“S183”表示18ns访问时间,“PF”代表TQFP封装,“I”表示工业级温度范围(–40°C 至 +85°C)。

典型应用场景包括:  
1. 通信设备:用于网络交换机、路由器中的数据包缓存、FIFO缓冲及控制表暂存,依托其纳秒级读写速度与零等待周期特性保障高吞吐实时处理;  
2. 工业控制与自动化:在PLC、运动控制器中作为高速暂存区,支持实时I/O数据交换与中断响应;  
3. 测试测量仪器:示波器、逻辑分析仪等需高速采集与暂存原始波形数据,该SRAM提供稳定低延迟访问;  
4. 军工/航天嵌入式系统(因工业级温宽及高可靠性):用于雷达信号预处理、导航计算机的中间计算缓冲。  

需注意:该芯片为并行接口异步SRAM(512K × 18位,9Mb),不适用于大容量长期存储(如SSD/HDD),亦非Flash或DRAM;其核心价值在于确定性低延迟、无需刷新、抗辐射稳定性强,适用于对实时性与可靠性要求严苛的嵌入式边缘节点。应用时需匹配地址/数据总线驱动能力,并注意电源噪声抑制。
产品参数 图文手册 常见问题
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