Datasheet下载- 型号： 71V016SA12YGI
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V016SA12YGI由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V016SA12YGI价格参考。Integrated Device Technology71V016SA12YGI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V016SA12YGI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V016SA12YGI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
71V016SA12YGI 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）旗下的一款高速异步静态RAM（SRAM），容量为1 Mbit（128K × 8），访问时间为12 ns，采用3.3 V单电源供电，封装为SOJ-32（符合JEDEC标准），工作温度范围为–40°C 至 +85°C（工业级），后缀“YGI”表明其为无铅、符合RoHS的工业级器件。 该芯片主要应用于对读写速度、低延迟和高可靠性要求较高的嵌入式系统中，典型应用场景包括： - 工业自动化设备中的实时数据缓存与缓冲（如PLC、运动控制器、HMI人机界面）； - 网络通信设备（如交换机、路由器、协议转换器）中的报文暂存、FIFO替代或寄存器映射内存； - 医疗电子设备（如便携式监护仪、影像采集模块）中需快速存取临时图像/传感器数据的场景； - 航空航天及军工类嵌入式系统（在宽温、抗干扰要求下，配合其他加固设计使用）； - 遗留系统升级或替代同类经典SRAM（如ISSI IS61LV12816、Cypress CY62128等）的兼容方案。 需注意：该型号已进入产品生命周期末期（EOL或NRND状态），瑞萨官网未列示为当前主力推荐型号，新设计建议评估其替代型号（如71V256SA系列或更现代的低功耗/小封装SRAM）。实际应用中应关注电源稳定性、地址/数据线布线匹配及去耦电容设计，以保障12 ns高速时序可靠性。
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