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- 型号： 70V659S10BFG8
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供70V659S10BFG8由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 70V659S10BFG8价格参考。Integrated Device Technology70V659S10BFG8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载70V659S10BFG8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有70V659S10BFG8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IDT（Integrated Device Technology Inc.）的70V659S10BFG8是一款高速双端口静态随机存取存储器（SRAM），属于高性能存储器产品系列。该型号为128K × 36位、10ns访问速度的同步双端口RAM，采用先进的CMOS工艺制造，具备低功耗与高可靠性的特点。 70V659S10BFG8主要应用于对数据吞吐率和实时性要求较高的通信与网络设备中。典型应用场景包括：电信基础设施中的路由器、交换机和基站系统，用于实现高速数据缓冲和共享内存处理；在数据通信领域，支持多处理器系统之间的高效数据交换；还可用于测试测量设备、工业自动化控制系统以及雷达和信号处理系统等需要双端口并行访问能力的场合。 其双端口设计允许两个独立系统同时访问同一存储器，避免了数据冲突，提升了系统效率。此外，该器件采用BGA封装（FG8），体积小，适合高密度电路板布局，适用于空间受限但性能要求严苛的嵌入式系统。 综上所述，70V659S10BFG8广泛应用于高端通信、网络、工业控制及军事电子等领域，是实现高速、可靠数据共享的关键存储元件。
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