Datasheet下载- 型号： 3EZ51D5E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ51D5E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ51D5E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ51D5E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ51D5E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ51D5E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ51D5E3/TR12是一款51V、3W通孔式齐纳二极管，采用DO-41封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 稳压与基准电压源：在低压电源系统中为模拟电路（如运放、ADC/DAC参考端）提供稳定51V基准电压，适用于工业控制、测试仪器等对电压精度要求适中的场合。 2. 过压保护（OVP）：与限流电阻配合，用作简单可靠的钳位保护器件，防止后级敏感电路（如微控制器IO口、传感器接口）遭受瞬态高压（如ESD或浪涌）损坏。 3. 电压箝位与波形整形：在信号调理电路中用于限制信号摆幅，例如在通信接口或脉冲电路中实现电平箝位，确保信号不超出安全范围。 4. 电源反馈环路：在离线式开关电源（如反激变换器）的初级侧反馈电路中，辅助构建简易稳压检测点（需搭配光耦等隔离元件）。 该器件为通孔直插型（TR12表示编带卷装），适合传统PCB组装；3W功率能力支持中等功耗稳压需求，但需注意散热设计。由于其非低噪声、非高精度特性，不推荐用于精密基准或高频射频电路。实际应用中应结合温度系数（约0.07%/°C）考虑温漂影响，并留足安全裕量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 51V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ51D5E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 38.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 51V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 48 欧姆 |
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