Datasheet下载- 型号： 3EZ5.6D2E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ5.6D2E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ5.6D2E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ5.6D2E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ5.6D2E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ5.6D2E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ5.6D2E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 5.6V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，具有±5%电压容差（标称稳压值5.6V）、低动态阻抗及良好温度稳定性。 其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低压模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置）提供稳定基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或限流电阻配合，钳位电源线或I/O端口瞬态电压（如ESD、浪涌），防止后级IC损坏； 3. 电源稳压辅助：在低成本线性稳压器（如LDO）前级或反馈网络中用作简易稳压/分压元件； 4. 电平转换与箝位：在数字接口（如GPIO、UART）中限制信号摆幅，确保符合逻辑电平要求（如将5V信号箝位至5.6V以下）； 5. 工业与汽车电子：适用于宽温范围（-65°C ~ +175°C）的严苛环境，常见于PLC模块、车载电源管理、电机驱动控制板等对可靠性要求较高的场合。 该器件TR12表示卷带包装（12mm载带），适合自动化贴片生产。需注意其最大功耗为3W，设计时应校核散热条件，避免持续满负荷工作导致热失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 5.6V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ5.6D2E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 5.6V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.5 欧姆 |
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