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  • 型号: 3EZ5.1D10/TR12
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ5.1D10/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ5.1D10/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ5.1D10/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ5.1D10/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ5.1D10/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

3EZ5.1D10/TR12 是 Microsemi Corporation(现属 Microchip Technology)推出的 5.1V、3W 表面贴装齐纳二极管,采用 DO-214AC(SMA)封装。其主要应用场景包括:

1. 电压基准与稳压:为低功耗模拟电路(如传感器信号调理、ADC/DAC参考源)提供稳定5.1V基准电压;适用于输入波动较小的线性稳压器辅助基准或过压保护触发点。

2. 过压保护(OVP)与ESD防护:常用于电源输入端或敏感IC引脚旁路,当瞬态电压超过5.1V(典型击穿电压)时快速导通,配合限流电阻钳位电压,保护后级器件(如MCU、运放)免受浪涌或静电损伤。

3. 电源监控与阈值检测:在电源管理电路中作为简单可靠的电压检测元件,例如用于电池电压监测(如5V系统欠压告警)或上电复位(POR)电路中的电压门限设定。

4. 工业与通信设备:广泛应用于工业控制模块、光模块(SFP/XFP)、网络交换机及电信电源单元中,满足AEC-Q200类似可靠性要求(Microsemi工业级器件),适合宽温(-65°C~+175°C)、高稳定性场景。

注:TR12表示卷带包装(12mm载带),适用于自动化贴片生产。该器件具有低动态阻抗、良好温度稳定性(TC ≈ ±0.06%/°C)和高浪涌承受能力(符合IEC 61000-4-5),但不适用于大电流稳压主回路,需配合限流设计使用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 5.1V 10% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ5.1D10/TR12

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

5µA @ 1V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±10%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

4,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

5.1V

阻抗(最大值)(Zzt)

3.5 欧姆

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