【未分类_3EZ36D5/TR8】封装/厂家_3EZ36D5/TR8中文资料_价格

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型号： 3EZ36D5/TR8
制造商： American Microsemiconductor, Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ36D5/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ36D5/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ36D5/TR8封装/规格：未分类，暂无。您可以下载3EZ36D5/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ36D5/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ36D5/TR8是一款3.6V、5%容差、1W功率的齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，带卷带包装（TR8）。其主要应用场景包括：

1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路或传感器供电中，为ADC参考源、运算放大器偏置或微控制器复位电路提供稳定3.6V基准电压。

2. 过压保护与箝位：配合TVS或限流电阻，用于保护后级IC（如MCU I/O口、通信接口）免受瞬态过压（如ESD、感应浪涌）损害，将电压箝位于约3.6V附近。

3. 电源调节辅助：在简单线性稳压器（如78Lxx）的反馈/使能端，或LDO的旁路电路中，实现精确阈值检测或电压监控。

4. 电池电压监测：适用于3.7V锂离子电池系统中，作为简易欠压/过压指示或切断控制的参考元件（需搭配比较器使用）。

该器件具有低动态阻抗、良好温度稳定性（典型TC ≈ ±0.05%/°C）和高可靠性，适合工业控制、通信模块、仪器仪表及汽车电子（非安全关键子系统）等对成本与性能平衡要求较高的场景。注意：实际应用中需确保功耗不超过1W，并留有足够散热裕量。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	DIODE ZENER 3W 36V 5% DO-41
产品分类	单二极管/齐纳
品牌	Microsemi Commercial Components Group
数据手册	http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf
产品图片
产品型号	3EZ36D5/TR8
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同If时的电压-正向(Vf)	1.2V @ 200mA
不同 Vr时的电流-反向漏电流	500nA @ 27.4V
供应商器件封装	DO-41
功率-最大值	3W
包装	带卷（TR）
安装类型	通孔
容差	±5%
封装/外壳	DO-204AL，DO-41，轴向
工作温度	-65°C ~ 150°C
标准包装	1,500
电压-齐纳（标称值）(Vz)	36V
阻抗（最大值）(Zzt)	22 欧姆