Datasheet下载- 型号： 3EZ22DE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ22DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ22DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ22DE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ22DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ22DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ22DE3/TR12是一款22V、3W表面贴装齐纳二极管（单管），采用DO-214AC（SMA）封装，具有±5%电压容差、低动态阻抗和良好稳定性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为精密模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）提供稳定22V基准电压，适用于中等功率场合； 2. 过压保护（OVP）：在电源输入端或敏感IC供电路径中并联使用，钳位瞬态过压（如ESD、开关噪声），配合限流电阻实现简单可靠的保护； 3. 浪涌抑制：在工业控制、通信设备或汽车电子（非安全关键系统）中，用于吸收感性负载关断产生的反向电动势或雷击感应浪涌； 4. 反馈环路稳压：在离线式开关电源（如适配器、LED驱动）的次级侧反馈网络中，辅助构建稳压采样点； 5. 电平转换与箝位：在数字/模拟混合电路中，将信号峰值箝位至22V，防止后级器件过压损坏。 该器件具备AEC-Q200兼容性（部分批次），适合工业、通信及部分车规外围应用；但需注意其3W功耗需匹配PCB散热设计，且不适用于高频或超低噪声基准场景。TR12表示卷带包装，便于自动化贴片生产。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 22V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ22DE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 16.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 22V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 8 欧姆 |
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