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- 型号： 3EZ200DE3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ200DE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ200DE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ200DE3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ200DE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ200DE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ200DE3/TR8 是一款额定稳压值为200V、功率为3W的单齐纳二极管（Zener Diode），采用DO-41封装，符合AEC-Q200（汽车级）和RoHS标准。其主要应用场景包括： 1. 高压稳压与基准源：在高压电源电路中提供200V稳定参考电压，适用于工业控制、仪表电源、LED驱动器等需高精度高压基准的场合。 2. 过压保护（OVP）与箝位电路：常用于开关电源、电机驱动或通信接口的输入端，配合TVS或MOSFET实现瞬态过压箝位，防止后级器件因浪涌或反电动势损坏。 3. 反馈环路补偿：在隔离型DC-DC变换器（如反激式）中，与光耦配合构成次级电压反馈网络，提升输出电压精度与稳定性。 4. 高压检测与阈值触发：在电池管理系统（BMS）、充电桩或高压测试设备中，作为电压阈值检测元件，触发保护或告警信号。 5. 汽车电子辅助应用：虽非主控器件，但在车载HVAC控制、车身域控制器等12V/24V系统中的高压辅助电源模块中，可承担稳压或浪涌抑制功能（需满足AEC-Q200可靠性要求）。 注意：该器件最大反向电流（IZT）约7.5mA，设计时需确保散热良好（尤其在连续功耗接近3W时），并避免长期工作在极限参数边缘。不推荐用于高频或大电流动态箝位场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 200V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ200DE3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 152V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 200V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 875 欧姆 |
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