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- 型号： 3EZ160D2E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ160D2E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ160D2E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ160D2E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ160D2E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ160D2E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ160D2E3/TR8 是 Vishay（威世）生产的 160V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，带卷带包装（TR8）。其主要应用场景包括： 1. 过压保护：用于电源输入端或敏感电路节点，当电压异常升高（如浪涌、反接或LDO失效）时，齐纳击穿导通，钳位电压在约160V，防止后级器件损坏。 2. 高电压基准源：在高压稳压电路（如工业电源、LED驱动器、HV DC-DC反馈环路）中，为误差放大器或比较器提供稳定参考电压（需配合限流电阻使用）。 3. 静电放电（ESD）与瞬态抑制辅助：虽非专用TVS，但可与TVS或RC网络协同，吸收中小能量的快速脉冲（如IEC 61000-4-4群脉冲），提升系统鲁棒性。 4. 高压检测与箝位电路：例如在电池管理系统（BMS）高压采样分压网络中，限制ADC输入电压不超过安全范围；或在开关电源反馈光耦初级侧实现输出电压上限箝位。 注意事项：该器件额定功率3W，需确保散热良好（PCB铜箔面积足够）；实际工作电流应严格控制在最大齐纳电流（IZM ≈ 18.75mA @ 3W/160V）以内，并留有裕量；不适用于高频或大电流稳压场景。典型应用环境为工业控制、电力仪表、通信电源及高压LED驱动等中高可靠性领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 160V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ160D2E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 121.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 160V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 625 欧姆 |
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