Datasheet下载- 型号： 3EZ13D10E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ13D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ13D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ13D10E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ13D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ13D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现属Microchip Technology）的型号3EZ13D10E3/TR12是一款13V、1W通孔式齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，符合AEC-Q200（汽车级）及RoHS标准。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置电路）中提供稳定13V基准电压； 2. 过压保护：与TVS或限流电阻配合，用于电源输入端或敏感IC引脚的钳位保护，防止瞬态过压（如ESD、开关噪声）损坏后级器件； 3. 电源调节辅助：在线性稳压器（如78xx系列）前级作预稳压或作为简单稳压器（配合限流电阻）为小电流负载（如微控制器复位电路、LED驱动偏置）供电； 4. 工业与汽车电子：凭借AEC-Q200认证，适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）、仪表盘及工业PLC中的稳压/保护节点； 5. 测试与校准设备：作为便携式仪器内部精密电压参考点，支持现场校准。 注意：该器件最大功率1W，需合理设计散热及限流电阻以确保长期可靠性；不适用于大电流或高频动态稳压场景。实际应用中建议查阅Microchip官方数据手册（DS20006147）确认热降额曲线与ESD参数。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 13V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ13D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 9.9V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 13V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4.5 欧姆 |
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