Datasheet下载- 型号： 3EZ110D5E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ110D5E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ110D5E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ110D5E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ110D5E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ110D5E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下）的3EZ110D5E3/TR12是一款110V、1.3W表面贴装齐纳二极管（单管），具有±5%电压容差和AEC-Q200认证（部分批次），适用于高可靠性场景。其典型应用场景包括： 1. 电源稳压与过压保护：在工业电源、DC-DC转换器或电池管理系统中，为参考电压源或误差放大器提供稳定基准（如配合TL431等器件）； 2. 浪涌/瞬态抑制辅助电路：与TVS或压敏电阻协同工作，在通信接口（如RS-485、CAN总线）中钳位异常高压，提升系统鲁棒性； 3. 传感器信号调理：为精密模拟前端（如压力、温度传感器）提供低噪声、稳定的偏置或箝位电压； 4. 汽车电子模块：得益于AEC-Q200兼容性，可用于车载信息娱乐系统、车身控制单元（BCM）中的电压监控与保护电路； 5. 测试与测量设备：作为校准基准或限幅元件，保障信号链精度与安全性。 需注意：该器件为玻璃钝化结构，热稳定性好，但最大功耗1.3W，设计时须确保PCB散热充分，并避免长期工作在极限参数下。实际选型应以Microchip最新官方数据手册为准。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 110V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ110D5E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 83.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 110V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 225 欧姆 |
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