Datasheet下载- 型号： 3EZ100D5/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ100D5/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ100D5/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ100D5/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ100D5/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ100D5/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ100D5/TR8 是 Microsemi Corporation（现已被 Microchip 收购）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为 100 V，额定功率为 3 W（DO-41 封装），容差通常为 ±5%，具有良好的温度稳定性和浪涌耐受能力。 其典型应用场景包括： 1. 高压电源稳压：在中等功率离线式电源、工业控制电源或LED驱动电路中，作为基准电压源或并联稳压元件，为误差放大器或反馈网络提供稳定参考； 2. 过压保护（OVP）与钳位：与TVS或可控硅配合，用于开关电源、电机驱动或通信接口的瞬态电压抑制，防止后级电路因浪涌或反电动势损坏； 3. 电压检测与基准：在高压电池管理系统（如48 V/96 V工业电池组）或高压传感器信号调理电路中，用作简单可靠的阈值检测或分压基准； 4. 模拟电路偏置：为高压运算放大器、光电耦合器输入侧或真空荧光屏（VFD）驱动电路提供稳定偏置电压。 需注意：该器件为传统玻璃钝化齐纳，非低噪声或高精度基准，不适用于精密ADC参考；实际使用时应确保功耗不超过3 W（需合理降额，尤其在高温环境），并建议串联限流电阻以保障稳压精度和可靠性。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 100V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ100D5/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 76V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 100V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 160 欧姆 |
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