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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SD1802S-TL-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SD1802S-TL-E价格参考。ON Semiconductor2SD1802S-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SD1802S-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SD1802S-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美半导体)的2SD1802S-TL-E是一款双极性晶体管(BJT),属于NPN型单晶体管。该型号的晶体管广泛应用于各种电子电路中,以下是其主要应用场景: 1. 开关应用: 2SD1802S-TL-E可用于设计高效的开关电路,例如继电器驱动、LED驱动和小型电机控制等场景。其低饱和电压和高增益特性使其在开关应用中表现优异。 2. 信号放大: 该晶体管适用于音频信号放大器、射频(RF)信号放大和其他低噪声放大电路。其出色的增益性能(hFE)和频率响应范围使其成为理想的选择。 3. 电源管理: 在线性稳压器或电流调节电路中,2SD1802S-TL-E可以作为关键元件用于调整输出电压或电流,确保负载设备获得稳定的电源供应。 4. 脉宽调制(PWM)控制: 在需要精确控制输出功率的应用中,例如直流-直流转换器或LED亮度调节,该晶体管可实现高效且稳定的PWM控制。 5. 传感器接口: 用于将微弱的传感器信号放大至可检测水平,例如温度传感器、压力传感器或光电二极管信号处理。 6. 高频通信电路: 凭借其较高的截止频率(fT),2SD1802S-TL-E适合用于高频通信设备中的小信号放大或混频器电路。 7. 工业自动化与控制: 在工业控制系统中,该晶体管可用于驱动电磁阀、步进电机或其他执行机构,提供可靠且快速的响应。 总结来说,2SD1802S-TL-E凭借其优良的电气特性和稳定性,适用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等多个领域。具体使用时需根据实际需求选择合适的外围电路设计以充分发挥其性能优势。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN HI CURRENT SW TP-FA两极晶体管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SD1802S-TL-E- |
数据手册 | |
产品型号 | 2SD1802S-TL-E |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 100mA,2A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 140 @ 100mA,2V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | 2-TP-FA |
功率-最大值 | 1W |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 150 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | TO-252 |
工厂包装数量 | 700 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 15 W |
最大直流电集电极电流 | 6 A |
标准包装 | 700 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 3A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 280 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 140 |
系列 | 2SD1802 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极—基极电压VCBO | 60 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.19 mV |
集电极连续电流 | 3 A |
频率-跃迁 | 150MHz |