Datasheet下载- 型号： 2N7002F,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002F,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002F,215价格参考。NXP Semiconductors2N7002F,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2N7002F,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N7002F,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N7002F 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（Switching Power Supplies） 2N7002F 常用于开关电源中的高频开关应用。它的低栅极电荷和快速开关速度使其适合在 DC-DC 转换器、降压/升压电路中作为同步整流器或开关元件。 2. 负载开关（Load Switch） 在便携式电子设备（如手机、平板电脑等）中，2N7002F 可用作负载开关，控制电路的通断以实现节能或保护功能。 3. 电机驱动（Motor Drive） 该型号适用于小型直流电机的驱动控制。由于其低导通电阻（Rds(on) 典型值为 4.5Ω @ Vgs=10V），可以有效减少功率损耗，提高效率。 4. 信号切换（Signal Switching） 在音频、视频或其他信号处理电路中，2N7002F 可用于信号路径的切换，确保信号的可靠传输。 5. 电池保护电路（Battery Protection Circuit） 在锂电池或可充电电池管理系统中，2N7002F 可用于过流保护、短路保护以及防止反向电流等功能。 6. LED 驱动（LED Driver） 2N7002F 可用于驱动低功率 LED，特别是在需要 PWM 调光的应用中，能够提供稳定的电流输出并支持快速调光。 7. 继电器驱动（Relay Driving） 它可以用作小信号继电器的驱动器，通过放大输入信号来控制继电器线圈的通断。 8. ESD 保护电路（ESD Protection Circuit） 凭借其良好的开关特性，2N7002F 可用于设计静电放电（ESD）保护电路，保护敏感电子元件免受瞬态电压冲击。 总结来说，2N7002F 因其紧凑的封装（SOT23）、低功耗特性和高可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域的小信号处理和功率管理场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 475MA SOT23MOSFET N-CH TRNCH 60V .475A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 475 mA |
| Id-连续漏极电流 | 475 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors 2N7002F,215TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N7002F,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 830 mW |
| Pd-功率耗散 | 830 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 780 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 780 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.69nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 2N7002F T/R |
| 功率-最大值 | 830mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 475mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | 2N7002F T/R |
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