数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N4750ATR由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N4750ATR价格参考。Fairchild Semiconductor1N4750ATR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N4750ATR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N4750ATR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的1N4750ATR是一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。这款器件的主要应用场景如下: 1. 电压稳压 - 1N4750ATR的齐纳击穿电压为36V,常用于电路中提供稳定的参考电压。例如,在电源电路中,它可以与电阻串联,将输入电压稳定在36V左右,适用于低功耗设备的稳压需求。 2. 过压保护 - 在敏感电子设备中,1N4750ATR可以用作过压保护元件。当输入电压超过36V时,齐纳二极管会导通,将多余的电压分流到地,从而保护后续电路免受高电压损害。 3. 信号电平调整 - 在信号处理电路中,1N4750ATR可以用来限制信号幅值。例如,在音频或射频电路中,它可以防止信号幅度过大,避免失真或损坏后级放大器。 4. 电压基准源 - 由于其稳定的击穿电压特性,1N4750ATR可用作简单的电压基准源,为比较器、运算放大器等模拟电路提供参考电压。 5. 浪涌抑制 - 在电源输入端或开关电路中,1N4750ATR可以吸收瞬时电压浪涌,保护电路中的其他元件。例如,在继电器或电机驱动电路中,它能有效抑制感性负载引起的反向电动势。 6. 电池充电保护 - 在某些电池充电电路中,1N4750ATR可用于监控充电电压,确保电池不会被过度充电。当电压达到36V时,齐纳二极管导通,触发保护机制。 注意事项 - 使用时需根据电路需求选择合适的限流电阻,以避免齐纳二极管因电流过大而损坏。 - 1N4750ATR的最大功率耗散为1W,因此不适用于高功率场景。 总之,1N4750ATR是一款通用型齐纳二极管,适用于多种需要稳压、保护和信号处理的低功耗应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 27V 1W DO41稳压二极管 27V 1W ZENER 5% |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Fairchild Semiconductor 1N4750ATR- |
数据手册 | |
产品型号 | 1N4750ATR |
不同If时的电压-正向(Vf) | - |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 20.6V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | DO-41 |
其它名称 | 1N4750AFSTR |
功率-最大值 | 1W |
功率耗散 | 1 W |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 245 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
封装/箱体 | DO-41 |
工作温度 | -65°C ~ 200°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 5 uA |
最大工作温度 | + 200 C |
最大齐纳阻抗 | 35 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 27V |
电压容差 | 5 % |
系列 | 1N4750A |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 35 欧姆 |
零件号别名 | 1N4750ATR_NL |
齐纳电压 | 27 V |
齐纳电流 | 9.5 mA |